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2020/11/10 07:33

美光全球首发 176 层 3D 闪存
https://www.micron.com/products/nand-flash/176-layer-nand
美光、Intel合作时，走的是浮动栅极闪存单元架构，独立后转向电荷捕获(charge-trap)闪存单元架构，第一代为128层堆叠，但更多的是过渡性质，用来发现、解决新架构设计的各种问题。如此，美光全新176层堆叠闪存将取代其实是96层堆叠。
from https://post.smzdm.com/p/a25dxrwp/