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2021/01/04 21:46

复旦大学成功验证实现 3nm 关键技术 —— GAA 晶体管
https://www.eet-china.com/news/202101041645.html
随着集成电路制造工艺进入到 5 纳米技术节点以下，传统晶体管微缩提升性能难以为继，技术面临重大革新。采用多沟道堆叠和全面栅环绕的新型多桥沟道晶体管乘势而起，利用 GAA 结构实现了更好的栅控能力和漏电控制，被视为 3 - 5 纳米节点晶体管的主要候选技术。现有工艺已实现了 7 层硅纳米片的 GAA 多桥沟道晶体管，大幅提高驱动电流，然而随着堆叠沟道数量的增加，漏电流也随之增加，导致的功耗不可忽视。