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2021/03/28 21:17

SK 海力士预测存储未来：3D NAND 600 层以上，DRAM 10nm 以下
https://www.sohu.com/a/457732381_114760
SK 海力士首席执行官李锡熙说：“我们正在改进 DRAM 和 NAND 各个领域的技术发展所需的材料和设计结构，并逐步解决可靠性问题。如果以此为基础，并取得创新，将来有可能实现 10nm 以下的 DRAM 工艺和堆叠 600 层以上的 NAND。”