三星正在开发 DDR5 内存,频率可达 7200MHz
https://article.pchome.net/content-2129462.html
三星 电子在3月25日宣布,正在开发业内首款容量达到512GB的DDR5内存模组。存储颗粒采用高电介质金属栅极晶体管工艺制造,进一步降低漏电。单DRAM芯片的容量是16GB(2GB),通过TSV穿孔技术实现了8层堆叠,让容量达到16GB,凑成512GB的话总计需要32颗。
(但是如今 DRAM 价格又涨回去了)
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三星 电子在3月25日宣布,正在开发业内首款容量达到512GB的DDR5内存模组。存储颗粒采用高电介质金属栅极晶体管工艺制造,进一步降低漏电。单DRAM芯片的容量是16GB(2GB),通过TSV穿孔技术实现了8层堆叠,让容量达到16GB,凑成512GB的话总计需要32颗。
(但是如今 DRAM 价格又涨回去了)